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MN4164-20

更新时间: 2024-11-12 05:49:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 1052K
描述
NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM

MN4164-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:200 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM
内存宽度:1端子数量:16
字数:65536 words字数代码:64000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:128
子类别:DRAMs最大压摆率:0.05 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MN4164-20 数据手册

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