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MN4118165BSJ

更新时间: 2024-11-12 19:51:19
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松下 - PANASONIC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 48K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, MOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

MN4118165BSJ 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:42
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J42内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:42字数:1048576 words
字数代码:1000000组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.75 mm
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MOS端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

MN4118165BSJ 数据手册

  

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