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MN41257A-08

更新时间: 2024-11-12 17:49:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 238K
描述
Nibble Mode DRAM, 256KX1, 80ns, NMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16

MN41257A-08 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:NIBBLE最长访问时间:80 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16长度:19.2 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:4.5 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

MN41257A-08 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MN41257AJ-08 PANASONIC

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Nibble Mode DRAM, 256KX1, 80ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, QFJ-18
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Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/20
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MN4141265CSJ PANASONIC

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EDO DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
MN4141265CTT PANASONIC

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EDO DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40