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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMUN2115LT1G
MMUN2115LT1G PDF预览

MMUN2115LT1G

更新时间： 2024-01-19 10:14:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 122K
描述
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT), SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL

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MMUN2115LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：0.7Samacsys Confidence：2
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：412124
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT PNP
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08
Samacsys Released Date：2017-05-04 08:31:21Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMUN2115LT1G 数据手册

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MMUN2111LT1 Series  
Preferred Devices  
Bias Resistor Transistors  
PNP Silicon Surface Mount Transistors  
with Monolithic Bias Resistor Network  
This new series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor  
Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network  
consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter  
resistor. The BRT eliminates these individual components by  
integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce  
both system cost and board space. The device is housed in the SOT-23  
package which is designed for low power surface mount applications.  
http://onsemi.com  
PIN 3  
COLLECTOR  
(OUTPUT)  
PIN 1  
BASE  
(INPUT)  
R1  
R2  
PIN 2  
EMITTER  
(GROUND)  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The  
modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering  
eliminating the possibility of damage to the die.  
3
1
• Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number  
to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace “T1” with “T3” in the  
Device Number to order the 13 inch/10,000 unit reel.  
2
SOT–23  
CASE 318  
STYLE 6  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
MARKING DIAGRAM  
V
CBO  
CEO  
V
50  
Vdc  
I
C
100  
mAdc  
A6x  
M
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
A6x  
x
Page 2)  
M
= Device Marking  
= A – L (See  
Total Device Dissipation  
P
D
246 (Note 1.)  
400 (Note 2.)  
1.5 (Note 1.)  
2.0 (Note 2.)  
mW  
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
= Date Code  
Thermal Resistance –  
Junction-to-Ambient  
R
508 (Note 1.)  
311 (Note 2.)  
θJA  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See specific marking information in the device marking table  
on page 2 of this data sheet.  
Thermal Resistance –  
Junction-to-Lead  
R
174 (Note 1.)  
208 (Note 2.)  
θJL  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
1. FR–4 @ Minimum Pad  
2. FR–4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 2  
MMUN2111LT1/D  
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