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MMUN2116LT3

更新时间： 2024-02-20 04:21:45
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乐山 - LRC 晶体晶体管
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7页 143K
描述
Bias Resistor Transistors

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MMUN2116LT3 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：CASE 318-08, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.51Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMUN2116LT3 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistors  
MMUN2111LT1  
PNP Silicon Surface Mount Transistors  
with Monolithic Bias Resistor Network  
SERIES  
3
This new series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor  
Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network  
consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter  
resistor. The BRT eliminates these individual components by  
integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce  
both system cost and board space. The device is housed in the SOT-23  
package which is designed for low power surface mount applications.  
1
2
CASE 318, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
PIN 3  
COLLECTOR  
(OUTPUT)  
R1  
R2  
PIN 1  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
BASE  
(INPUT)  
PIN 2  
EMITTER  
(GROUND)  
• The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The  
modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering  
eliminating the possibility of damage to the die.  
MARKINGDIAGRAM  
• Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number  
to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace “T1” with “T3” in the  
Device Number to order the 13 inch/10,000 unit reel.  
A6x  
M
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
A6x = Device Marking  
Rating  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
x
= A – L(See Page 2)  
= Date Code  
M
50  
Vdc  
DEVICE MARKING  
100  
mAdc  
INFORMATION  
See specific marking information in  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
the device marking table on page 2 of this  
Symbol  
Max  
Unit  
data sheet.  
Total Device Dissipation  
TA = 25°C  
Derate above 25°C  
PD  
246 (Note 1.)  
400 (Note 2.)  
1.5 (Note 1.)  
2.0 (Note 2.)  
mW  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance –  
Junction-to-Ambient  
RθJA  
508 (Note 1.)  
311 (Note 2.)  
Thermal Resistance –  
Junction-to-Lead  
RθJL  
174 (Note 1.)  
208 (Note 2.)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
TJ, T  
–55 to +150  
stg  
1. FR–4 @ Minimum Pad  
2. FR–4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad  
MMUN2111S 1/11  
1234567

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