MMT05B260T3

更新时间： 2024-02-08 11:35:04

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		触发装置硅浪涌保护器光电二极管数据判读及分析中心
页数	文件大小	规格书
6页	56K
描述
Thyristor Surge Protectors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMT05B260T3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大转折电压：	320 V
配置：	SINGLE	最大断态直流电压：	200 V
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	子类别：	DIACs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

MMT05B260T3 数据手册

MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05B310T3

Voltage Current Characteristic of TSPD

(Bidirectional Device)

+ Current

Symbol

Parameter

I , I

D1 D2

Off State Leakage Current

Off State Blocking Voltage

Breakdown Voltage

Breakover Voltage

Breakover Current

Holding Current

(BO)

, V

(BO)

+ Voltage

(BR)

On State Voltage

100

340

320

300

280

260

240

220

200

= 50V

MMT05B310T3

MMT05B260T3

MMT05B230T3

0.1

180

160

0.01

100

120

140

−50

−25

100

125

TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Off−State Current versus Temperature

Figure 2. Breakdown Voltage versus Temperature

http://onsemi.com

1 234 5 6

下载PDF

与MMT05B260T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMT05B260T3G	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格
MMT05B310T3	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors	获取价格
MMT05B310T3G	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格
MMT05B330T3	MOTOROLA	380V, SILICON SURGE PROTECTOR	获取价格
MMT05B350T3	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格
MMT05B350T3G	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格