MMT05B260T3

更新时间： 2024-01-13 19:46:20

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		触发装置硅浪涌保护器光电二极管数据判读及分析中心
页数	文件大小	规格书
6页	56K
描述
Thyristor Surge Protectors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMT05B260T3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大转折电压：	320 V
配置：	SINGLE	最大断态直流电压：	200 V
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	子类别：	DIACs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

MMT05B260T3 数据手册

MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05B310T3

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Operating Temperature Range

Blocking or Conducting State

−40 to +125

°C

Overload Junction Temperature − Maximum Conducting State Only

+175

2000

260

°C

Instantaneous Peak Power Dissipation (I = 50 A, 10x1000 µsec @ 25°C)

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Devices are bidirectional. All electrical parameters apply to forward and reverse polarities.

Characteristics

Breakover Voltage (Both polarities)

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Volts

(BO)

(dv/dt = 100 V/µs, I = 1.0 A, Vdc = 1000 V)

MMT05B230T3

MMT05B260T3

MMT05B310T3

−

265

320

365

(+65°C)

MMT05B230T3

MMT05B260T3

MMT05B310T3

−

280

340

400

Breakover Voltage (Both polarities)

(BO)

Volts

(f = 60 Hz, I = 1.0 A(rms), V = 1000 V(rms),

R = 1.0 kΩ, t = 0.5 cycle) (Note 3.)

MMT05B230T3

MMT05B260T3

MMT05B310T3

−

265

320

365

(+65°C)

MMT05B230T3

MMT05B260T3

MMT05B310T3

−

280

340

400

Breakover Voltage Temperature Coefficient

(BO)

/dT

−

0.08

−

%/°C

Breakdown Voltage (I

= 1.0 mA) Both polarities

(BR)

Volts

(BR)

MMT05B230T3

MMT05B260T3

MMT05B310T3

−

190

240

280

−

Off State Current (V = 50 V) Both polarities

−

2.0

5.0

µA

Volts

Off State Current (V = V ) Both polarities

On−State Voltage (I = 1.0 A)

−

1.53

230

340

−

3.0

(PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%) (Note 3.)

Breakover Current (f = 60 Hz, V

Both polarities

= 1000 V(rms), R = 1.0 kΩ)

−

Holding Current (Both polarities)

= 500 Volts; I (Initiating Current) = "1.0 Amp

(Note 3.)

150

2000

−

Critical Rate of Rise of Off−State Voltage

(Linear waveform, V = Rated V , T = 25°C)

dv/dt

−

V/µs

Capacitance (f = 1.0 MHz, 50 Vdc, 1.0 V rms Signal)

Capacitance (f = 1.0 MHz, 2.0 Vdc, 15 mV rms Signal)

−

3. Measured under pulse conditions to reduce heating.

http://onsemi.com

123 4 5 6

下载PDF

与MMT05B260T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMT05B260T3G	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格
MMT05B310T3	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors	获取价格
MMT05B310T3G	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格
MMT05B330T3	MOTOROLA	380V, SILICON SURGE PROTECTOR	获取价格
MMT05B350T3	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格
MMT05B350T3G	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMT05B260T3

MMT05B260T3 技术参数

MMT05B260T3 数据手册

与MMT05B260T3相关器件

与MMT05B260T3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMT05B260T3

MMT05B260T3 技术参数

MMT05B260T3 数据手册

与MMT05B260T3相关器件

与MMT05B260T3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？