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MMT05A310T3

更新时间： 2024-02-11 09:38:56

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安森美 - ONSEMI		光电二极管高压
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6页	52K
描述
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

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MMT05A310T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CASE 403D-02, SMA, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.76
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大转折电压：	365 V
配置：	SINGLE	最大断态直流电压：	270 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR

MMT05A310T3 数据手册

MMT05A230T3, MMT05A260T3, MMT05A310T3

Voltage Current Characteristic of TSPD

(Bidirectional Device)

+ Current

Symbol

Parameter

I , I

D1 D2

Off State Leakage Current

Off State Blocking Voltage

Breakdown Voltage

Breakover Voltage

Breakover Current

Holding Current

(BO)

, V

(BO)

+ Voltage

(BR)

On State Voltage

100

340

320

300

280

260

240

220

200

= 50V

MMT05A310T3

MMT05A260T3

MMT05A230T3

0.1

180

160

0.01

100

120

140

−2 −10

TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Off−State Current versus Temperature

Figure 2. Typical Breakdown Voltage versus

Temperature

http://onsemi.com

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