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MMBZ5242BW

更新时间: 2024-11-12 10:52:11
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页数 文件大小 规格书
2页 384K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

MMBZ5242BW 数据手册

 浏览型号MMBZ5242BW的Datasheet PDF文件第2页 
MMBZ5221BW~MMBZ5259BW  
SILICON PLANAR ZENER DIODES  
3
1
2
1. Anode 3. Cathode  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
PD  
Value  
200  
Unit  
mW  
Power Dissipation  
O
C
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj ,TS  
- 65 to + 150  
O
Characteristics ( Ta = 25 C unless otherwise noted, VF < 0.9 V at IF = 10 mA)  
Zener Voltage Range 1)  
Dynamic Resistance  
Reverse Leakage Current  
Marking  
Code  
Type  
VZnom  
lZT for  
mA  
VZT  
ZZT  
ZZK  
at IZK  
IR  
at VR  
V
V
Max. () Max. ()  
mA  
Max. (µA)  
100  
75  
50  
25  
15  
10  
5
V
1
MMBZ5221BW  
MMBZ5223BW  
MMBZ5225BW  
MMBZ5226BW  
MMBZ5227BW  
MMBZ5228BW  
MMBZ5229BW  
MMBZ5230BW  
MMBZ5231BW  
MMBZ5232BW  
MMBZ5234BW  
MMBZ5235BW  
MMBZ5236BW  
MMBZ5237BW  
MMBZ5239BW  
MMBZ5240BW  
MMBZ5241BW  
MMBZ5242BW  
MMBZ5243BW  
MMBZ5245BW  
MMBZ5246BW  
MMBZ5248BW  
MMBZ5250BW  
MMBZ5251BW  
MMBZ5252BW  
MMBZ5254BW  
MMBZ5256BW  
MMBZ5257BW  
MMBZ5258BW  
MMBZ5259BW  
HA  
HB  
HC  
HD  
HE  
HF  
HH  
HJ  
HK  
HM  
HN  
HP  
HR  
HX  
HY  
HZ  
JA  
2.4  
2.7  
3
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
9.5  
8.5  
7.8  
7
2.28…2.52  
2.57…2.84  
2.85…3.15  
3.14…3.47  
3.42…3.78  
3.71…4.1  
30  
30  
30  
28  
24  
23  
22  
19  
17  
11  
7
1200  
1300  
1600  
1600  
1700  
1900  
2000  
1900  
1600  
1600  
1000  
750  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
1
1
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
1
1
1
4.09…4.52  
4.47…4.94  
4.85…5.36  
5.32…5.88  
5.89…6.51  
6.46…7.14  
7.13…7.88  
7.79…8.61  
8.65…9.56  
9.5…10.5  
1
5
2
5
2
5
3
5
4
5
3
5
6
500  
3
6
8
500  
3
6.5  
7
10  
17  
22  
30  
13  
16  
17  
21  
25  
29  
33  
41  
49  
58  
70  
80  
600  
3
600  
3
8
10.45…11.55  
11.4…12.6  
12.35…13.65  
14.25…15.75  
15.2…16.8  
17.1…18.9  
19…21  
600  
2
8.4  
9.1  
9.9  
11  
12  
14  
15  
17  
18  
21  
23  
25  
27  
30  
JB  
600  
1
JC  
JD  
JE  
600  
0.5  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
600  
600  
JF  
600  
JH  
JJ  
6.2  
5.6  
5.2  
5
600  
20.9…23.1  
22.8…25.2  
25.65…28.35  
28.5…31.5  
31.35…34.65  
34.2…37.8  
37.05…40.95  
600  
JK  
600  
JM  
JN  
JP  
600  
4.2  
3.8  
3.4  
3.2  
600  
700  
JR  
700  
JX  
800  
1) Tested with pulses tp = 20 ms.  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  

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