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MMBZ5229-V-G-18

更新时间： 2024-11-28 19:30:43

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	82K
描述
DIODE 4.3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

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MMBZ5229-V-G-18 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.61	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	4.3 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

MMBZ5229-V-G-18 数据手册

MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Silicon planar power Zener diodes.

• Standard Zener voltage tolerance is 5 ꢀ with

a “B” suffix (e.g.: MMBZ5225B-V-G), suffix “C”

is 2 ꢀ tolerance

• High temperature soldering guaranteed:

260 °C/4 x 10 s at terminals

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Note

PRIMARY CHARACTERISTICS

** Please see document “Vishay Material Category Policy”:

www.vishay.com/doc?99902

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

UNIT

3 to 75

1.7 to 20

Thermal equilibrium

Single

ORDERING INFORMATION

MINIMUM ORDER

TAPED UNITS PER REEL

DEVICE NAME

ORDERING CODE

QUANTITY

MMBZ5225-V-G to

MMBZ5267-V-Gseries-18

10 000 (8 mm tape on 13"

MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G

10 000/box

reel)

MMBZ5225-V to

MMBZ5267-V-G-series-08

3000 (8 mm tape on 7" reel)

15 000/box

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

8.1 mg

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

SOT-23

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

(according J-STD-020)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

On FR - 5 board using recommended solder pad

layout

P_tot

225

300

Power dissipation

On alumina substrate

P_tot

Zener current

See table “Caharacteristics”

On FR - 5 board using recommended solder pad

layout

Junction to ambient air

R_thJA

556

K/W

T_j

Junction temperature, maximum

Storage temperature range

150

°C

T_stg

- 65 to + 175

Rev. 1.2, 24-Nov-11

Document Number: 85183

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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MMBZ5229-V-GS18	VISHAY	获取价格	DIODE 4.3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLA
MMBZ5230	VISHAY	获取价格	ZENER DIODES
MMBZ5230	GOOD-ARK	获取价格	SURFACE MOUNT ZENER DIODES/SOT-23
MMBZ5230/E8	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB
MMBZ5230/E9	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB
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