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MMBZ5230B

更新时间: 2024-02-01 20:27:54
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页数 文件大小 规格书
3页 313K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

MMBZ5230B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.225 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

MMBZ5230B 数据手册

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MMBZ5221B~MMBZ5261B  
SILICON PLANAR ZENER DIODES  
3
1
2
SOT-23 Plastic Package  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
PD  
Value  
350  
Unit  
mW  
Power Dissipation  
O
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction Temperature  
C/W  
RθJA  
Tj  
357  
150  
O
C
O
C
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 55 to + 150  
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 15/11/2008  

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