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MMBZ5230B PDF预览

MMBZ5230B

更新时间: 2024-01-31 00:22:07
品牌 Logo 应用领域
EIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 106K
描述
Zener Diode,

MMBZ5230B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.09
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40最大电压容差:4.99%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

MMBZ5230B 数据手册

 浏览型号MMBZ5230B的Datasheet PDF文件第2页 
Certificate TH97/10561QM  
Certificate TW00/17276EM  
SILICON PLANAR ZENER DIODE  
SOT-23  
MMBZ5221B ~ MMBZ5261B  
0.100  
0.013  
1.40  
0.95  
0.50  
0.35  
FEATURES :  
3.10  
2.70  
* Zener Breakdown Voltage Range 2.4 V to 47 V  
* Package Designed for Optimal Automated  
Board Assembly  
0.19  
0.08  
3
* Small Package Size for High Density Applications  
* Pb / RoHS Free  
1
2
1.02  
0.89  
2.04  
1.78  
3
MECHANICAL DATA :  
* Case : SOT-23 plastic Case  
bottom view  
1
2
Dimensions in millimeters  
Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25 °C )  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
VALUE  
PD  
RӨJA  
TJ  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation  
350  
417  
Thermal Resistance, Jucntion to Ambient Air  
Junction Temperature  
150  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
- 55 to + 150  
Page 1 of 2  
Rev. 00 : March 22, 2007  

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