MMBZ12VDG

更新时间： 2024-01-18 14:31:49

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恩智浦 - NXP		二极管
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15页	87K
描述
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression

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MMBZ12VDG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.73	击穿电压标称值：	12 V
最大钳位电压：	17 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	8.5 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MMBZ12VDG 数据手册

MMBZxVCL; MMBZxVDL series

Double ESD protection diodes for transient overvoltage

suppression

Rev. 01 — 3 September 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in a common

cathode conﬁguration, encapsulated in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package. The devices are designed for ESD and transient

overvoltage protection of up to two signal lines.

Table 1.

Product overview

Type number^[1]

Package

NXP

Conﬁguration

JEDEC

MMBZ12VDL

MMBZ15VDL

MMBZ18VCL

MMBZ20VCL

MMBZ27VCL

MMBZ33VCL

SOT23

TO-236AB

dual common cathode

[1] All types available as /DG halogen-free version.

1.2 Features

I Unidirectional ESD protection of

I ESD protection up to 30 kV (contact

two lines

discharge)

I Bidirectional ESD protection of one line I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

I Low diode capacitance: C_d≤ 140 pF I IEC 61643-321

I Rated peak pulse power: P_PPM≤ 40 W I AEC-Q101 qualiﬁed

I Ultra low leakage current: I_RM≤ 5 nA

1.3 Applications

I Computers and peripherals

I Audio and video equipment

I Cellular handsets and accessories

I Automotive electronic control units

I Portable electronics

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