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MMBTA55

更新时间： 2024-01-16 18:19:11

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
6页	72K
描述
Driver Transistors(PNP Silicon)

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MMBTA55 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA55 数据手册

MMBTA55LT1,

MMBTA56LT1

MMBTA56LT1 is a Preferred Device

Driver Transistors

PNP Silicon

http://onsemi.com

Features

• Pb−Free Package is Available

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector−Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

Vdc

BASE

MMBTA55

MMBTA56

−60

−80

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Vdc

EMITTER

MMBTA55

MMBTA56

−60

−80

−4.0

Vdc

Collector Current − Continuous

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

−500

mAdc

SOT−23

CASE 318

STYLE 6

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board

225

(Note 1) T = 25°C

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

°C/W

MARKING DIAGRAMS

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

556

Total Device Dissipation Alumina

300

2H X

2GM X

Substrate, (Note 2) T = 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

417

MMBTA55LT1

MMBTA56LT1

2H, 2GM = Specific Device Code

= Date Code

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to

+150

°C

stg

1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

SOT−23

Shipping

MMBTA55LT1

MMBTA55LT3

MMBTA56LT1

3000/Tape & Reel

10,000/Tape & Reel

3000/Tape & Reel

MMBTA56LT1G SOT−23

(Pb−Free)

MMBTA56LT3

SOT−23

10,000/Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

March, 2004 − Rev. 3

MMBTA55LT1/D

12 3 4 5 6

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MMBTA55 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MSB710-RT1G	ONSEMI	类似代替	PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount
MMBTA55	FAIRCHILD	类似代替	PNP General Purpose Amplifier

与MMBTA55相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBTA55_05	KEC	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR	获取价格
MMBTA55_1	DIODES	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBTA55_11	MCC	PNP General Purpose Amplifier	获取价格
MMBTA55_15	DIODES	PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23	获取价格
MMBTA55_15	UTC	PNP MMBTA55	获取价格
MMBTA55_2	DIODES	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格