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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3646
MMBT3646 PDF预览

MMBT3646

更新时间： 2024-09-21 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Switching Transistor

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MMBT3646 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.17
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：28 ns最大开启时间（吨）：18 ns
Base Number Matches：1

MMBT3646 数据手册

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MMBT3646  
Switching Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
15  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
V
V
V
CEO  
40  
CES  
CBO  
EBO  
40  
5
I
- Continuous  
@ T =25°C  
300  
mA  
C
P
Total Device Dissipation  
- Derate above 25°C  
625  
5
mW  
mW/°C  
D
A
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
150  
°C  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 100µAdc, V = 0)  
40  
15  
40  
5
V
V
(BR)CES  
CEO(SUS)  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CES  
C
BE  
Collector-Emitter Sustaining Voltage (1) (I = 10mAdc, I = 0)  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage (I = 100µAdc, I = 0)  
V
C
E
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 100µAdc, I = 0)  
V
E
C
I
Collector Cut-off Current (V = 20Vdc, V = 0)  
0.5  
3
µA  
CE  
BE  
(V = 20Vdc, V = 0, T = 65°C)  
CE  
BE  
A
On Characteristics (1)  
DC Current Gain (I = 30mAdc, V = 0.4Vdc)  
h
30  
25  
15  
120  
FE  
C
CE  
(I = 100mAdc, V = 0.5Vdc)  
C
CE  
(I = 300mAdc, V = 1Vdc)  
C
CE  
V
Collector-Emitter Saturation Voltage (I = 30mAdc, I = 3mAdc)  
0.2  
0.28  
0.5  
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
(I = 100mAdc, I = 10mAdc)  
C
B
(I = 300mAdc, I = 30mAdc)  
C
B
(I = 30mA, I = 3mA, T =65°C)  
0.3  
C
B
A
V
Base-Emitter Saturation Voltage (I = 30mAdc, I = 3mAdc)  
0.73  
0.95  
1.2  
C
B
(I = 100mAdc, I = 10mAdc)  
C
B
(I = 300mAdc, I = 30mAdc)  
1.7  
C
B
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2002  
1234

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MMBT3646 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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