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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3646_NL
MMBT3646_NL PDF预览

MMBT3646_NL

更新时间： 2024-01-16 14:20:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN

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MMBT3646_NL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
基于收集器的最大容量：5 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-236AAJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：350 MHz最大关闭时间（toff）：28 ns
最大开启时间（吨）：18 nsVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

MMBT3646_NL 数据手册

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MMBT3646  
Switching Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
15  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
V
V
V
CEO  
40  
CES  
CBO  
EBO  
40  
5
I
- Continuous  
@ T =25°C  
300  
mA  
C
P
Total Device Dissipation  
- Derate above 25°C  
625  
5
mW  
mW/°C  
D
A
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
150  
°C  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 100µAdc, V = 0)  
40  
15  
40  
5
V
V
(BR)CES  
CEO(SUS)  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CES  
C
BE  
Collector-Emitter Sustaining Voltage (1) (I = 10mAdc, I = 0)  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage (I = 100µAdc, I = 0)  
V
C
E
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 100µAdc, I = 0)  
V
E
C
I
Collector Cut-off Current (V = 20Vdc, V = 0)  
0.5  
3
µA  
CE  
BE  
(V = 20Vdc, V = 0, T = 65°C)  
CE  
BE  
A
On Characteristics (1)  
DC Current Gain (I = 30mAdc, V = 0.4Vdc)  
h
30  
25  
15  
120  
FE  
C
CE  
(I = 100mAdc, V = 0.5Vdc)  
C
CE  
(I = 300mAdc, V = 1Vdc)  
C
CE  
V
Collector-Emitter Saturation Voltage (I = 30mAdc, I = 3mAdc)  
0.2  
0.28  
0.5  
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
(I = 100mAdc, I = 10mAdc)  
C
B
(I = 300mAdc, I = 30mAdc)  
C
B
(I = 30mA, I = 3mA, T =65°C)  
0.3  
C
B
A
V
Base-Emitter Saturation Voltage (I = 30mAdc, I = 3mAdc)  
0.73  
0.95  
1.2  
C
B
(I = 100mAdc, I = 10mAdc)  
C
B
(I = 300mAdc, I = 30mAdc)  
1.7  
C
B
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2002  
1234

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与MMBT3646_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3646D87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
MMBT3646-HIGH TI

获取价格

 		15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MMBT3700 NSC

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,TO-236
MMBT3702 NSC

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,SOT-23
MMBT3702 FAIRCHILD

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 		PNP General Purpose Amplifier
MMBT3702D87Z FAIRCHILD

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