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MMBT2222AT

更新时间： 2024-02-11 02:24:45
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBT2222AT 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT2222AT 数据手册

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@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICEX  
IC = 10mA, IE = 0  
75  
40  
6.0  
¾
¾
¾
¾
10  
20  
V
V
IC = 10mA, IB = 0  
IE = 10mA, IC = 0  
V
VCE = 60V, VEB(OFF) = 3.0V  
VCE = 60V, VEB(OFF) = 3.0V  
nA  
nA  
IBL  
Base Cutoff Current  
¾
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
IC = 100mA, VCE = 10V  
35  
50  
¾
¾
¾
¾
¾
IC = 1.0mA, VCE = 10V  
hFE  
DC Current Gain  
IC = 10mA, VCE = 10V  
75  
¾
I
C = 150mA, VCE = 10V  
100  
40  
IC = 500mA, VCE = 10V  
IC = 150mA, IB = 15mA  
0.3  
1.0  
VCE(SAT)  
VBE(SAT)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
¾
V
V
I
C = 500mA, IB = 50mA  
IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.6  
¾
1.2  
2.0  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
VCB = 10V, f = 1.0MHz, IE = 0  
VEB = 0.5V, f = 1.0MHz, IC = 0  
Cobo  
Cibo  
¾
8
pF  
pF  
Input Capacitance  
—
30  
V
CE = 20V, IC = 20mA,  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
300  
¾
MHz  
f = 100MHz  
hie  
hre  
hfe  
hoe  
VCE = 10 Vdc, IC = 10 mAdc, f = 1.0kHz  
VCE = 10 Vdc, IC = 10 mAdc, f = 1.0kHz  
VCE = 10 Vdc, IC = 10 mAdc, f = 1.0kHz  
VCE = 10 Vdc, IC = 10 mAdc, f = 1.0kHz  
Input Impedance  
0.25  
¾
1.25  
4.0  
kW  
X 10-4  
¾
Voltage Feedback Ratio  
Small-Signal Current Gain  
Output Admittance  
75  
375  
200  
25  
mS  
V
CE = 10 Vdc, IC = 100 mAdc,  
Noise Figure  
NF  
¾
4.0  
dB  
RS = 1.0 k ohms, f = 1.0kHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Delay Time  
td  
tr  
¾
¾
¾
¾
10  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
CC = 30V, IC = 150mA,  
VBE(off) = - 0.5V, IB1 = 15mA  
Rise Time  
ts  
tf  
Storage Time  
225  
60  
VCC = 30V, IC = 150mA,  
IB1 = IB2 = 15mA  
Fall Time  
(Note 3)  
Ordering Information  
Device  
Packaging  
Shipping  
MMBT2222AT-7  
SOT-523  
3000/Tape & Reel  
Notes: 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.  
Marking Information  
1P = Product Type Marking Code  
YM = Date Code Marking  
Y = Year (ex: N = 2002)  
M = Month (ex: 9 = September)  
1PYM  
Date Code Key  
Year  
1998  
1999  
2000  
2001  
2002  
2003  
2004  
2005  
2006  
2007  
2008  
2009  
Code  
J
K
L
M
N
P
R
S
T
U
V
W
Month  
Code  
Jan  
Feb  
March  
Apr  
May  
Jun  
Jul  
Aug  
Sep  
Oct  
Nov  
Dec  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
O
N
D
DS30268 Rev. 2 - 2  
2 of 3  
MMBT2222AT  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MMBT2222AT/R NXP TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI

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