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MMBT2222AT

更新时间: 2024-02-25 00:35:30
品牌 Logo 应用领域
WEITRON 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 95K
描述
Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon

MMBT2222AT 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz最大关闭时间(toff):285 ns
最大开启时间(吨):35 nsBase Number Matches:1

MMBT2222AT 数据手册

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MMBT2222AT  
1000  
100  
250  
200  
150  
(see Note 1)  
a
T =125 C  
a
T =25 C  
a
T =-25 C  
100  
50  
0
10  
1
VCE=1.0V  
100 1000  
0.1  
1
10  
I ,COLLECTOR CURRENT(mA)  
0
100  
200  
C
T ,AMBIENT TEMPERATURE( C)  
a
FIG.2 Typical DC Current Gain vs  
Collector Current  
FIG.1 Power Derating Curve  
30  
20  
2.0  
1.8  
1C=30mA  
1C=1mA  
1C=10mA  
Cibo  
1.6  
1.4  
1.2  
1C=100mA  
1C=300mA  
10  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
5.0  
1.0  
Cobo  
0.2  
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1.0  
10  
50  
REVERSE VOLTS(V)  
I ,BASE CURRENT(mA)  
B
FIG.3 Typical Capacitance  
FIG.4 Typical Collector Saturation Region  
0.5  
1.0  
IC/IB=10  
VCE=5V  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
a
T =50 C  
a
T =25 C  
a
T =50 C  
a
T =150 C  
a
T =150 C  
0.3  
0.2  
a
T =-50 C  
1000  
10  
100  
I ,COLLECTOR CURRENT(mA)  
1
0.1  
1
10  
100  
C
I ,COLLECTOR CURRENT(mA)  
C
FIG.5 Collector Emitter Saturation Voltage  
vs. Collector Current  
FIG.6 Base Emitter Voltage  
vs. Collector Current  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  

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