MMBT2222A

更新时间： 2024-09-14 22:51:11

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美微科 - MCC		晶体放大器晶体管开关光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
3页	102K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT2222A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.02
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	285 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBT2222A 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMBT2222A

Features

Surface Mount SOT-23 Package

Capable of 350mWatts of Power Dissipation

NPN General

Purpose Amplifier

Pin Configuration

Top View

1 P

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

SOT-23

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_BL

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=10mAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10mAdc, I_C=0)

6.0

Vdc

Base Cutoff Current

nAdc

(V_CE=60Vdc, V_BE=3.0Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CE=60Vdc, V_BE=3.0Vdc)

I_CEX

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

(I_C=0.1mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=1.0mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=10mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=150mAdc, V_CE=10Vdc)

(I_C=150mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=500mAdc, V_CE=10Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

100

DIMENSIONS

INCHES

MIN

300

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

V_CE(sat)

0.3

1.0

Vdc

V_BE(sat)

0.6

1.2

2.0

.085

.37

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

Suggested Solder

Pad Layout

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=20mAdc, V_CE=20Vdc, f=100MHz)

300

MHz

C_obo

C_ibo

Output Capacitance

(V_CB=10Vdec, I_E=0, f=1.0MHz)

Input Capacitance

(V_BE=0.5Vdc, I_C=0, f=1.0MHz)

Noise Figure

.031

.800

8.0

.035

.900

.079

2.000

inches

4.0

(I_C=100mAdc, V_CE=10Vdc, R_S=1.0kW

f=1.0kHz)

SWITCHING CHARACTERISTICS

t_d

t_r

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(V_CC=30Vdc, V_BE=0.5Vdc

I_C=150mAdc, I_B1=15mAdc)

(V_CC=30Vdc, I_C=150mAdc

I_B1=I_B2=15mAdc)

225

.037

.950

t_s

t_f

.037

.950

*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%

www.mccsemi.com

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT2222A/D87Z	TI	获取价格	1000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2222A/E9	VISHAY	获取价格	Transistor,
MMBT2222A_05	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT2222A_08	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2222A_1	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2222A_10	MCC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
MMBT2222A_11	UTC	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2222A_11	MCC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
MMBT2222A_16	DIODES	获取价格	40V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222A_F40	FAIRCHILD	获取价格	Transistor

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