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MM54C989J

更新时间: 2024-11-06 15:43:23
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 238K
描述
IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 500 ns, CDIP16, CERAMIC, DIP-16, Static RAM

MM54C989J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:500 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T16JESD-609代码:e0
长度:19.43 mm内存密度:64 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:16字数:16 words
字数代码:16工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16X4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5/15 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MM54C989J 数据手册

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