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Datasheet > 光电 > 激光二极管> ML920AA11S
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ML920AA11S

更新时间： 2024-11-19 04:15:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 半导体光电二极管激光二极管
页数 文件大小 规格书
4页 178K
描述
Notice : Some parametric limits are subject to change InGaAsP DFB LASER DIODES

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ML920AA11S 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, TO-CAN PACKAGE-4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流：0.08 A最大正向电压：1.5 V
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：LASER DIODE标称输出功率：10 mW
峰值波长：1550 nm最长响应时间：2e-10 s
半导体材料：InGaAsP形状：ROUND
尺寸：2 mm子类别：Laser Diodes
表面贴装：NO最大阈值电流：15 mA
Base Number Matches：1

ML920AA11S 数据手册

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MITSUBISHI LASER DIODES  
ML9XX11 SERIES  
Notice : Some parametric limits are subject to change  
InGaAsP DFB LASER DIODES  
ML925B11F / ML920J11S  
ML925AA11F / ML920AA11S  
ML925J11F / ML920L11S  
TYPE  
NAME  
DESCRIPTION  
APPLICATION  
ML9XX11series are DFB (Distributed Feedback) laser  
diodes emitting light beam around 1550nm.  
They are well suited for light source in long  
distance digital transmission system.  
· ~1.25Gbps digital transmission system  
FEATURES  
· Homogeneous grating (AR/HR facet coating) structure  
DFB  
They are hermetically sealed devices with the photo  
diode for optical output monitoring.  
· Wide temperature range operation ( -40 to 85ºC )  
· Low threshold current (typical 8mA)  
· High speed response (typical 0.1nsec)  
· φ5.6mm TO-CAN package  
· Flat window cap, Ball lens cap, or Aspherical lens cap  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Light output power  
Conditions  
Ratings  
Unit  
mW  
mA  
V
Po  
CW  
---  
10  
150  
2
If  
Forward current (Laser diode)  
Reverse voltage (Laser diode)  
Reverse voltage (Photo diode)  
Forward current (Photo diode)  
VRL  
VRD  
IFD  
---  
---  
20  
2
V
---  
mA  
Tc  
Tstg  
Case temperature  
Storage temperature  
---  
---  
-40 to +85  
-40 to +100  
ºC  
ºC  
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC otherwise specified)  
[ Flat window cap ; ML925B11F / ML920J11S ]  
Symbol  
Ith  
Parameter  
Threshold current  
Test conditions  
Min.  
---  
Typ.  
8
Max.  
15  
Unit  
mA  
CW  
---  
30  
50  
CW, Tc=85ºC  
Iop  
Operation current  
CW, Po=5mW  
---  
25  
60  
1.1  
0.28  
1550  
25  
40  
80  
1.5  
---  
1570  
35  
mA  
---  
CW, Po=5mW, Tc=85ºC  
Vop  
η
Operating voltage  
Slope efficiency  
Peak wavelength  
CW, Po=5mW  
---  
V
mW/mA  
nm  
CW, Po=5mW  
0.20  
1530  
---  
CW, Po=5mW  
λp  
θ //  
Beam divergence angle (parallel) CW, Po=5mW  
deg.  
Beam divergence angle  
CW, Po=5mW  
---  
35  
45  
deg.  
θ ┴  
(perpendicular)  
CW, Po=5mW  
SMSR  
Side mode suppression ratio  
35  
40  
---  
dB  
Tc= - 40 to +85ºC  
tr,tf  
Im  
Id  
Rise and Fall time  
Ib=Ith, 20-80% <*>  
CW, Po=5mW  
---  
0.05  
---  
0.1  
0.2  
---  
0.2  
---  
0.1  
20  
ns  
mA  
µA  
pF  
Monitoring output current (PD)  
Dark current (PD)  
V
RD=5V  
VRD=5V  
Ct  
Capacitance (PD)  
---  
10  
<*> Except influence of the 18mm lead.  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
Dec. 2004  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ML920B6S MITSUBISHI

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 		InGaAsP-MQW-FP LASER DIODES
ML920J11F-03 MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1550nm
ML920J11S MITSUBISHI

获取价格

 		Notice : Some parametric limits are subject to change InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920J11S-02 MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1550nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4
ML920J11S-04 MITSUBISHI

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