5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > ML920J11S-02
ML920J11S-02 PDF预览

ML920J11S-02

更新时间： 2024-01-15 05:28:13
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电半导体
页数 文件大小 规格书
4页 278K
描述
Laser Diode, 1550nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

ML920J11S-02 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE最大正向电流：0.03 A
最大正向电压：1.8 V安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-20 °C光电设备类型：LASER DIODE
标称输出功率：6 mW峰值波长：1550 nm
最长响应时间：4e-10 s半导体材料：InGaAsP
形状：ROUND尺寸：2 mm
子类别：Laser Diodes表面贴装：NO
最大阈值电流：30 mABase Number Matches：1

ML920J11S-02 数据手册

 浏览型号ML920J11S-02的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ML920J11S-02的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ML920J11S-02的Datasheet PDF文件第4页 
MITSUBISHI LASER DIODES  
ML9XX11 SERIES  
InGaAsP DFB LASER DIODES  
TYPE  
NAME  
ML925B11F/ML920J11S/ML925J11F  
DESCRIPTION  
APPLICATION  
ML9XX11 series are DFB (Distributed Feedback) laser diodes  
emitting light beam around 1550nm.  
Long - distance digital transmission system  
They are well suited for light source in long distance digital  
transmission systems.  
ML925B11F / ML920J11S are hermetically sealed devices with  
the photo diode for optical output monitoring.  
***Specification Note  
Type  
Operation Temperature Range  
ML9XX11-01  
ML9XX11-02  
ML9XX11-03  
Tc=-40 to 85ºC  
Tc=-20 to 85ºC  
Tc= 0 to 85ºC  
FEATURES  
Low threshold current (typical 10mA)  
Wide temperature range operation  
High - side mode suppression ratio (typical 40dB)  
High speed response (typical 0.2nsec)  
MQW* active layer  
FSBH** structure fabricated by MOCVD process  
* Multiple Quantum Well  
** Facet Selective - growth Buried Hetero structure  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Ratings  
Symbol  
Conditions  
CW  
Unit  
mW  
Po  
6
2
Light output power  
VRL  
-
V
Reverse voltage (Laser diode)  
Reverse voltage (Photo diode)  
Forward current (Photo diode)  
20  
2
V
VRD  
IFD  
-
-
mA  
-01 -40 to +85  
-02 -20 to +85  
ºC  
ºC  
Case temperature  
Tc  
-
-03  
0 to +85  
Tstg  
-
- 40 to +100  
Storage temperature  
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC  
Symbol  
Ith  
Parameter  
Test conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
-
-
30  
60  
CW  
10  
20  
mA  
mA  
Threshold current  
Operation current  
Iop  
CW,Po=5mW  
CW,Po=5mW  
Vop  
1.2  
Operating voltage  
Slope efficiency  
-
1.8  
-
V
0.15  
CW,Po=5mW  
0.25  
1550  
25  
mW/mA  
p
CW,Po=5mW ***)Note  
CW,Po=5mW  
Peak wavelength  
Beam divergence angle (parallel)  
1530  
-
1570  
35  
nm  
deg.  
Beam divergence angle  
(perpendicular)  
-
45  
CW,Po=5mW  
35  
deg.  
CW,Po=5mW ***)Note  
CW,Po=5mW  
Side mode suppression ratio  
Monitoring output current  
SMSR  
30  
-
-
-
40  
0.2  
0.2  
dB  
Im  
mA  
tr,tf  
Rise and Fall time  
If=Ith,Po=5mW,10 - 90%  
-
0.4  
ns  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1234

中文翻译

下载PDF

与ML920J11S-02相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ML920J11S-04 MITSUBISHI

获取价格

 		InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920J11S-05 MITSUBISHI

获取价格

 		InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920J11S-06 MITSUBISHI

获取价格

 		InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920J16S MITSUBISHI

获取价格

 		InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920J16S-04 MITSUBISHI

获取价格

 		InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920J16S-05 MITSUBISHI

获取价格

 		InGaAsP DFB LASER DIODES
ML920J19S-07 MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1530nm
ML920J19S-09 MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1570nm
ML920J19S-10 MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1590nm
ML920J19S-12 MITSUBISHI

获取价格

 		Laser Diode, 1470nm

与ML920J11S-02相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证