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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJE3055T
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MJE3055T

更新时间： 2024-11-24 22:33:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
General Purpose and Switching Applications

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MJE3055T 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.12Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

MJE3055T 数据手册

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MJE3055T  
General Purpose and Switching Applications  
•
•
DC Current Gain Specified to I =10A  
High Current Gain-Bandwidth Product : f = 2MHz (Min.)  
C
T
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector -Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
70  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
5
V
I
10  
A
C
I
Base Current  
6
75  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
C
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
0.6  
C
a
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
= 200mA, I = 0  
60  
CEO  
CEO  
C
B
I
V
= 30V, I = 0  
700  
µA  
CE  
B
I
I
Collector Cut-off Current  
V
V
= 70V, V (off) = -1.5V  
1
5
mA  
mA  
CEX1  
CEX2  
CE  
CE  
BE  
= 70V, V (off) = -1.5V  
BE  
@ T = 150°C  
C
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
5
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 4A  
20  
5
100  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 10A  
C
V
(sat)  
(on)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 4A, I = 0.4A  
1.1  
8
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= 10A, I = 3.3A  
B
V
*Base-Emitter On Voltage  
V
V
= 4V, I = 4A  
1.8  
V
CE  
CE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 500mA  
2
MHz  
T
C
* Pulse test: PW≤300µs, duty cycle≤2% Pulse  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, February 2001  
1234

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