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MJ16010

更新时间： 2024-11-03 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
10页 550K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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MJ16010 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：175 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MJ16010 数据手册

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by MJ16010/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in  
inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for  
line–operated switchmode applications. The MJ16012 and MJW16012 are selected  
high gain versions of the MJ16010 and MJW16010 for applications where drive  
current is limited.  
*Motorola Preferred Device  
15 AMPERE  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
450 VOLTS  
•
•
•
•
•
•
Switching Regulators  
Inverters  
Solenoids  
Relay Drivers  
Motor Controls  
Deflection Circuits  
•
Fast Turn–Off Times — T = 100°C  
C
50 ns Inductive Fall Time (Typ)  
90 ns Inductive Crossover Time (Typ)  
800 ns Inductive Storage Time (Typ)  
100 C Performance Specified for:  
Reverse–Biased SOA with Inductive Loads  
Switching Times with Inductive Loads  
Saturation Voltages  
135 AND 175 WATTS  
•
Leakage Currents  
MAXIMUM RATINGS  
MJ16010  
MJ16012  
MJW16010  
MJW16012  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
450  
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
MJ16010  
MJ16012  
V
CEV  
850  
6.0  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
15  
20  
I
CM  
Base Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
10  
15  
Adc  
B
I
BM  
Total Device Dissipation  
P
Watts  
D
@ T = 25 C  
1 75  
100  
1.0  
135  
53 8  
1.11  
C
@ T = 100 C  
C
Derate above 25 C  
W/ C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–65 to 200 –55 to 150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C
CASE 340F–03  
TO–247AE  
MJW16010  
MJW16012  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.0  
0.93  
θJC  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for  
5 Seconds  
T
L
275  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
50 µs, Duty Cycle  
10%  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
1234567...10

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与MJ16010相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJ-16010 NJSEMI

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 		NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
MJ16010A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta
MJ16010A NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 450V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
MJ-16010A NJSEMI

获取价格

 		NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
MJ-16011 NJSEMI

获取价格

 		NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
MJ16012 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
MJ16012 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
MJ16012 MOTOROLA

获取价格

 		15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 450 VOLTS 135 AND 175 WATTS
MJ16012 ONSEMI

获取价格

 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS
MJ16012 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 450V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3

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