MJ1302A

更新时间： 2024-11-13 22:46:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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6页	224K
描述
COMEPLEMENTARY NPN-PNP SILICON POWER BOPOLAR TRANSISTOR

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MJ1302A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
基于收集器的最大容量：	600 pF	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	12
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	250 W
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

MJ1302A 数据手册

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by MJ3281A/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

*Motorola Preferred Device

15 AMPERE

COMPLEMENTARY

SILICON POWER

TRANSISTORS

200 VOLTS

The MJ3281A and MJ1302A are PowerBase power transistors for high power

audio, disk head positioners and other linear applications.

•

Designed for 100 W Audio Frequency

Gain Complementary:

250 WATTS

— Gain Linearity from 100 mA to 7 A

— High Gain — 60 to 175

— h

= 45 (Min) @ I = 8 A

•

Low Harmonic Distortion

High Safe Operation Area — 1 A/100 V @ 1 sec

High f — 30 MHz Typical

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Symbol

Value

200

Unit

Vdc

Adc

CEO

CBO

EBO

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector–Emitter Voltage — 1.5 V

Collector Current — Continuous

CEX

200

(1)

Collector Current — Peak

Base Current — Continuous

1.5

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25°C

Derate Above 25°C

250

1.43

Watts

W/°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T , T

–65 to +200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle <10%.

0.7

°C/W

θJC

Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit

curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.

Designer’s is a trademark of Motorola, Inc.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJ1302FEA26	OHMITE	获取价格	RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 1 %, 50 ppm, 13000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, R
MJ1302FE-A26	OHMITE	获取价格	RESISTOR, METAL FILM, 0.125W, 1%, 50ppm, 13000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS
MJ1302FE-A52	OHMITE	获取价格	RESISTOR, METAL FILM, 0.125W, 1%, 50ppm, 13000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS
MJ1302FE-R52	OHMITE	获取价格	RESISTOR, METAL FILM, 0.125W, 1%, 50ppm, 13000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS
MJ1302FE-R58	OHMITE	获取价格	RESISTOR, METAL FILM, 0.125W, 1%, 50ppm, 13000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS
MJ1303FER52	OHMITE	获取价格	RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 1 %, 50 ppm, 130000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED,
MJ1303FE-R52	OHMITE	获取价格	RES 130K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ-13061	NJSEMI	获取价格	NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
MJ13070	MOTOROLA	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
MJ13070	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistors

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