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MHVIC2115NR2

更新时间： 2024-02-14 20:04:25
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
12页 419K
描述
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

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MHVIC2115NR2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOP16,.35,32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：5A991HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.1特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：31 dB
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：16最大工作频率：2600 MHz
最小工作频率：1600 MHz封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：SOP16,.35,32电源：26 V
射频/微波设备类型：NARROW BAND MEDIUM POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：YES技术：MOS
最大电压驻波比：3Base Number Matches：1

MHVIC2115NR2 数据手册

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Document Number: MHVIC2115NR2  
Rev. 5, 5/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF LDMOS Wideband Integrated  
Power Amplifier  
The MHVIC2115NR2 wideband integrated circuit is designed for base station  
applications. It uses Freescale’s newest High Voltage (26 to 28 Volts) LDMOS  
IC technology and integrates a multi-stage structure. Its wideband On-Chip  
matching design makes it usable from 1600 to 2600 MHz. The linearity  
performances cover W-CDMA modulation formats.  
MHVIC2115NR2  
Final Application  
2170 MHz, 26 V, 23/34 dBm  
W-CDMA  
RF LDMOS WIDEBAND  
INTEGRATED POWER AMPLIFIER  
• Typical W-CDMA Performance: -45 dBc ACPR, 2110-2170 MHz, VDD  
=
27 Volts, IDQ1 = 56 mA, IDQ2 = 61 mA, IDQ3 = 117 mA, Pout = 34 dBm,  
3GPP Test Model 1, Measured in 1.0 MHz BW @ 4 MHz offset, 64 DTCH  
Power Gain — 30 dB  
PAE = 16%  
Driver Application  
16  
• Typical W-CDMA Performance: -53 dBc ACPR, 2110-2170 MHz, VDD  
=
1
26 Volts, IDQ1 = 96 mA, IDQ2 = 204 mA, IDQ3 = 111 mA, Pout = 23 dBm,  
3GPP Test Model 1, Measured in 3.84 MHz BW @ 5 MHz offset, 64 DTCH  
Power Gain — 34 dB  
• Gain Flatness = 0.3 dB from 2110-2170 MHz  
CASE 978-03  
PFP-16  
• P1dB = 15 Watts, Gain Flatness = 0.2 dB from 2110-2170 MHz  
• Capable of Handling 3:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2140 MHz, 15 Watts CW  
Output Power  
Features  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked, >5 Ohm Output)  
• Integrated Temperature Compensation with Enable/Disable Function  
• Integrated ESD Protection  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R2 Suffix = 1,500 Units per 16 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +65  
-0.5, +15  
- 65 to +150  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
T
J
°C  
N.C.  
1
N.C.  
16  
15  
14  
13  
V
DS3  
V
DS3  
V
DS3  
V
DS3  
V
DS3  
/RF  
/RF  
/RF  
/RF  
/RF  
V
GS3  
2
3
4
out  
out  
out  
out  
out  
V
GS3  
V
GS2  
V
GS1  
Quiescent Current  
Temperature Compensation  
V
V
GS2  
GS1  
RF  
RF  
5
6
7
8
12  
11  
10  
9
in  
RF I  
in C  
in  
V /RF  
DS3 out  
V
V
V /RF  
DS3 out  
DS1  
N.C.  
DS2  
V
DS1  
3 Stages I  
C
V
DS2  
(Top View)  
Note: Exposed backside flag is source  
terminal for transistors.  
Figure 1. Block Diagram  
Figure 2. Pin Connections  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
1234567...12

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