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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> MHVIC2115R2
MHVIC2115R2 PDF预览

MHVIC2115R2

更新时间： 2024-01-18 06:23:04
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
8页 580K
描述
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

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MHVIC2115R2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SOP16,.35,32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：5A991HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.1Is Samacsys：N
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：31 dB安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：16
最大工作频率：2600 MHz最小工作频率：1600 MHz
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：SOP16,.35,32电源：26 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：204 mA表面贴装：YES
技术：MOS最大电压驻波比：3
Base Number Matches：1

MHVIC2115R2 数据手册

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MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Freescale Semiconductor, Inc.  
Order this document  
by MHVIC2115R2/D  
The Wideband IC Line  
RF LDMOS Wideband Integrated  
Power Amplifier  
MHVIC2115R2  
The MHVIC2115R2 wideband integrated circuit is designed for base station  
applications. It uses Motorola’s newest High Voltage (26 to 28 Volts) LDMOS IC  
technology and integrates a multi-stage structure. Its wideband On-Chip  
matching design makes it usable from 1600 to 2600 MHz. The linearity  
performances cover W-CDMA modulation formats.  
2170 MHz, 26 V, 23/34 dBm  
W-CDMA  
RF LDMOS WIDEBAND  
INTEGRATED POWER AMPLIFIER  
Final Application  
Typical W-CDMA Performance: -45 dBc ACPR, 2110-2170 MHz, VDD  
27 Volts, IDQ1 = 56 mA, IDQ2 = 61 mA, IDQ3 = 117 mA, Pout = 34 dBm,  
=
3GPP Test Model 1, Measured in a 1.0 MHz BW @ 4 MHz offset, 64 DTCH  
Power Gain — 30 dB  
PAE = 16%  
Driver Application  
Typical W-CDMA Performance: -53 dBc ACPR, 2110-2170 MHz, VDD  
26 Volts, IDQ1 = 96 mA, IDQ2 = 204 mA, IDQ3 = 111 mA, Pout = 23 dBm,  
=
CASE 978-03  
PFP-16  
3GPP Test Model 1, Measured in a 3.84 MHz BW @ 5 MHz offset, 64 DTCH  
Power Gain — 34 dB  
• Gain Flatness = 0.3 dB from 2110-2170 MHz  
• P1dB = 15 Watts, Gain Flatness = 0.2 dB from 2110-2170 MHz  
• Capable of Handling 3:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2140 MHz, 15 Watts CW  
Output Power  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked, >5 Ohm Output)  
• Integrated Temperature Compensation with Enable/Disable Function  
• Integrated ESD Protection  
• In Tape and Reel. R2 Suffix = 1,500 Units per 16 mm, 13 inch Reel.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
V
DSS  
V
-0.5, +15  
- 65 to +150  
150  
GS  
T
stg  
T
°C  
J
PIN CONNECTIONS  
V
V
V
GS3  
GS2  
GS1  
N.C.  
1
2
3
4
N.C.  
16  
15  
14  
13  
12  
Quiescent Current  
Temperature Compensation  
V
V
V
V
V
/RF  
/RF  
/RF  
/RF  
/RF  
V
DS3  
DS3  
DS3  
DS3  
DS3  
out  
out  
out  
out  
out  
GS3  
GS2  
GS1  
V
V
RF  
I
C
in  
V
/RF  
out  
DS3  
RF  
5
6
7
8
in  
in  
RF  
11  
10  
9
V
V
3 Stages I  
DS1  
DS2  
V
V
V
/RF  
DS3 out  
C
DS1  
DS2  
N.C.  
(Top View)  
NOTE: Exposed backside flag is source  
terminal for transistors.  
(1) Refer to AN1987/D, Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family. Go to http://www.motorola.com/semiconductors/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1987.  
Rev. 1  
Motorola, Inc. 2004  
For More Information On This Product,  
Go to: www.freescale.com  
 
12345678

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