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MHW10186N

更新时间： 2024-02-27 09:51:25
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飞思卡尔 - FREESCALE 放大器有线电视射频微波高功率电源
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
Gallium Arsenide CATV Amplifier Module

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MHW10186N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 1302-01, 7 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N特性阻抗：75 Ω
构造：COMPONENT增益：18 dB
最大工作频率：1000 MHz最小工作频率：40 MHz
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-20 °C
射频/微波设备类型：WIDE BAND HIGH POWER端子面层：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MHW10186N 数据手册

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Document Number: MHW10186N  
Rev. 0, 11/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Gallium Arsenide  
CATV Amplifier Module  
MHW10186N  
Features  
• Specified for 79-, 112- and 132-Channel Loading  
• Excellent Distortion Performance  
• Built-in Input Diode Protection  
• GaAs FET Transistor Technology  
• Unconditionally Stable Under All Load Conditions  
Applications  
1000 MHz  
18.5 dB GAIN  
132-CHANNEL  
GaAs CATV AMPLIFIER MODULE  
• CATV Systems Operating in the 40 to 1000 MHz Frequency Range  
• Input Stage Amplifier in Optical Nodes, Line Extenders and Trunk  
Distribution Amplifiers for CATV Systems  
• Output Stage Amplifier on Applications Requiring Low Power Dissipation  
and High Output Performance  
• Driver Amplifier in Linear General Purpose Applications  
Description  
• 24 Vdc Supply, 40 to 1000 MHz, CATV GaAs Forward Amplifier Module  
• RoHS Compliant  
CASE 1302-01, STYLE 1  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
+65  
Unit  
dBmV  
Vdc  
°C  
RF Voltage Input (Single Tone)  
DC Supply Voltage  
V
in  
V
+26  
CC  
Operating Case Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
-20 to +100  
-40 to +100  
C
T
stg  
°C  
Table 2. ESD Maximum Ratings  
Rating  
Surge Voltage per IEC 1000-4-5  
Input Value  
Output Value  
Unit  
V
300  
2
300  
2
Human Body Model per Mil. Std. 1686  
kV  
Table 3. Electrical Characteristics (V = 24 Vdc, T = +30°C, 75 Ω system unless otherwise noted)  
CC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
40  
Typ  
Max  
Unit  
MHz  
dB  
Frequency Range  
Power Gain  
Slope  
BW  
—
1000  
1000 MHz  
G
18  
18.5  
0.6  
19.5  
1.2  
p
40-1000 MHz  
S
0.2  
—
dB  
Gain Flatness (40-1000 MHz, Peak-to-Valley)  
G
0.3  
0.8  
dB  
F
Return Loss — Input  
IRL  
dB  
(Z = 75 Ohms)  
o
40-200 MHz  
201-600 MHz  
601-870 MHz  
871-1000 MHz  
20  
19  
18  
15  
—
—
—
—
—
—
—
—
Return Loss — Output  
ORL  
dB  
(Z = 75 Ohms)  
o
40-200 MHz  
201-600 MHz  
601-870 MHz  
871-1000 MHz  
20  
19  
18  
17  
—
—
—
—
—
—
—
—
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
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