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MHVIC910HR2

更新时间： 2024-02-15 22:09:57
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器射频功率放大器
页数 文件大小 规格书
12页 222K
描述
921 MHz − 960 MHz SiFET RF Integrated Power Amplifier

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MHVIC910HR2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SOP16,.35,32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.24Samacsys Description：RF Amplifier 921 MHz - 960 MHz SiFET RF Integrated Power Amplifier
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：38 dB最大输入功率 (CW)：5 dBm
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：16最大工作频率：960 MHz
最小工作频率：921 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：SOP16,.35,32电源：26 V
射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：150 mA表面贴装：YES
技术：MOS最大电压驻波比：10

MHVIC910HR2 数据手册

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MHVIC910HR2  
Rev. 5, 1/2005  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Will be replaced by MHVIC910HNR2 end of Q205. N suffix indicates 260°C reflow  
capable. The PFP−16 package has had lead−free terminations from its initial release.  
MHVIC910HR2  
921 MHz − 960 MHz SiFET  
RF Integrated Power Amplifier  
The MHVIC910HR2 integrated circuit is designed for GSM base stations,  
uses Freescale’s newest High Voltage (26 Volts) LDMOS IC technology, and  
contains a three−stage amplifier. Target applications include macrocell (driver  
function) and microcell base stations (final stage). The device is in a PFP−16  
Power Flat Pack package which gives excellent thermal performances through  
a solderable backside contact.  
960 MHz, 10 W, 26 V  
GSM CELLULAR  
RF LDMOS INTEGRATED CIRCUIT  
• Typical GSM Performance @ Full Frequency Band  
(921−960 MHz), 26 Volts  
16  
Output Power — 40 dBm (CW) @ P1dB  
Power Gain — 39 dB @ P1dB  
1
Efficiency — 48% @ P1dB  
CASE 978−03  
PFP−16  
• On−Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked, >5 Ohm Output)  
• Integrated ESD Protection  
• Usable Frequency Range — 921 to 960 MHz  
• In Tape and Reel. R2 Suffix = 1,500 Units per 16 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
dBm  
°C  
Drain Supply Voltage  
V
28  
DD  
GS  
Gate Supply Voltage  
V
6
5
RF Input Power  
P
in  
Case Operating Temperature  
Storage Temperature Range  
Operating Channel Temperature  
T
C
− 30 to + 85  
− 65 to + 150  
150  
T
stg  
°C  
T
ch  
°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.9  
°C/W  
θ
JC  
V
D1  
V
D2  
V
D3  
N.C.  
1
16  
15  
14  
13  
N.C.  
V
D2  
2
3
4
V
/RF  
D3  
D3  
out  
out  
V
/RF  
V
D1  
GND  
V
D3  
V
D3  
V
D3  
/RF  
/RF  
/RF  
out  
out  
out  
RF  
in  
RF  
out  
RF  
in  
GATE1  
5
6
7
8
12  
11  
10  
9
V
V
V
GATE2  
N.C.  
N.C.  
GATE3  
(Top View)  
V
GATE1  
V
GATE2  
V
GATE3  
Note: Exposed backside flag is source  
terminal for transistors.  
Figure 1. Functional Block Diagram  
Figure 2. Pin Connections  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2005. All rights reserved.  
1234567...12

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