生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM, SSIM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | 备用内存宽度: | 18 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
内存密度: | 603979776 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 72 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SSIM72 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.018 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 3.24 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MH16M36CNJ-7 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M36CNJ-7S | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M36NAJ-6 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M40AAJ-6 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX40, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M40AAJ-7 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX40, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M40AJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX40, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M40AJ-7 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX40, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M40AJD-6 | MITSUBISHI |
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FAST PAGE MODE ( 16,777,216-WORD BY 40-BIT ) DYNAMIC RAM | |
MH16M40ANAJ-6 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX40, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
MH16M40ANAJ-7 | MITSUBISHI |
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Fast Page DRAM Module, 16MX40, 70ns, CMOS, SIMM-72 |