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MH16S64APFC-7L

更新时间： 2024-09-22 22:21:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
55页	673K
描述
1,073,741,824-BIT (16,777,216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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MH16S64APFC-7L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.28 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MH16S64APFC-7L 数据手册

MITSUBISHI LSIs

Preliminary Spec.

Some contents are subject to change without notice.

MH16S64APFC -7,-7L,-8,-8L

1,073,741,824-BIT (16,777,216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

DESCRIPTION

Utilizes industry standard 8M x 16 Sy nchronous DRAMs

The MH16S64APFC is 16777216 - word by 64-bit

Synchronous DRAM module. This consists of eight

industry standard 8Mx16 Synchronous DRAMs in

TSOP and one industory standard EEPROM in

TSSOP.

TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP

144-pin (72-pin dual in-line package)

single 3.3V±0.3V power supply

The mounting of TSOP on a card edge Dual

Inline package provides any application where

high densities and large quantities of memory are

required.

Clock frequency 100MHz(max.)

Fully synchronous operation referenced to clock rising

edge

This is a socket type - memory modules, suitable

for easy interchange or addition of modules.

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

6.0ns(CL=2)

6.0ns(CL=3)

-7,-7L

-8,-8L

100MHz

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

PC100 compliant

APPLICATION

main memory or graphic memory in computer systems

PCB Outline

(Front)

(Back)

143

144

MIT-DS-0375-0.1

MITSUBISHI

ELECTRIC

16.Mar.2000

( 1 / 55 )

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH16S64APFC-8	MITSUBISHI	获取价格	1,073,741,824-BIT (16,777,216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH16S64APFC-8L	MITSUBISHI	获取价格	1,073,741,824-BIT (16,777,216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH16S64APFJ-6L	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-144
MH16S64APHB-6	MITSUBISHI	获取价格	1,073,741,824-BIT (16,777,216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH16S64APHB-7	MITSUBISHI	获取价格	1,073,741,824-BIT (16,777,216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH16S64APHB-8	MITSUBISHI	获取价格	1,073,741,824-BIT (16,777,216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH16S64BAMD-10	MITSUBISHI	获取价格	1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH16S64BAMD-6	MITSUBISHI	获取价格	1,073,741,824-BIT ( 16,777,216-WORD BY 64-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM
MH16S64BAMD-7	MITSUBISHI	获取价格	1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH16S64BAMD-8	MITSUBISHI	获取价格	1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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