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MH16M8BDJA-7

更新时间: 2024-02-26 17:10:24
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 271K
描述
Fast Page DRAM Module, 16MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30

MH16M8BDJA-7 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:, SIP30针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-T30JESD-609代码:e0
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:SIP30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:12.7 mm
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.6 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MH16M8BDJA-7 数据手册

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