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MH16S64BAMD-6

更新时间： 2024-09-22 22:21:15

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三菱 - MITSUBISHI		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
40页	578K
描述
1,073,741,824-BIT ( 16,777,216-WORD BY 64-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

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MH16S64BAMD-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.016 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.4 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH16S64BAMD-6 数据手册

MITSUBISHI LSIs

MH16S64BAMD-6

1,073,741,824-BIT ( 16,777,216-WORD BY 64-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM

PRELIMINARY

Some of contents are subject to change without notice.

DESCRIPTION

The MH16S64BAMD is 16777216 - word x 64-bit

Synchronous DRAM module. This consist of sixteen industry

standard 8M x 8 Synchronous DRAMs in TSOP.

The TSOP on a card edge dual in-line package provides any

application where high densities and large of quantities

memory are required.

85pin

1pin

This is a socket-type memory module ,suitable for easy

interchange or addition of module.

FEATURES

Max.

Frequency

Access Time from CLK

[component level]

94pin

95pin

10pin

11pin

Type name

5.4ns

(CL = 3)

MH16S64BAMD-6

133MHz

Utilizes industry standard 8M X 8 Synchronous DRAMs in TSOP

package

Single 3.3V +/- 0.3V supply

Max.Clock frequency 133MHz

Fully synchronous operation referenced to clock rising edge

4-bank operation controlled by BA0,BA1(Bank Address)

/CAS latency -2/3(programmable,at buffer mode)

LVTTL Interface

124pin

125pin

40pin

41pin

Burst length 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- Sequential and interleave burst (programmable)

Random column access

Burst Write / Single Write(programmable)

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycles every 64ms

APPLICATION

84pin

168pin

Main memory or graphic memory in computer systems

11/May. /1999

MIT-DS-0315-0.0

MITSUBISHI

ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...40

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MH16S64DAMD-6	MITSUBISHI	获取价格	1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH16S64DAMD-7	MITSUBISHI	获取价格	1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
MH16S64DAMD-8	MITSUBISHI	获取价格	1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM
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