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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D15 |
| 针数： | 15 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D15 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 15 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG8N6ES1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-72A3A, 17 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG8N6ES42 | TOSHIBA | TRANSISTOR 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG8N6ES46 | TOSHIBA | TRANSISTOR 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG8Q6ES1 | TOSHIBA | TRANSISTOR 8 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG8Q6ES42 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG90C601-25CB | TEMIC | Microprocessor, |
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