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MG90V2YS50

更新时间: 2024-09-24 20:45:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
TRANSISTOR 90 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MG90V2YS50 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:HIGH SPEED最大集电极电流 (IC):90 A
集电极-发射极最大电压:1700 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:2
端子数量:7封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MG90V2YS50 数据手册

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