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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1300 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 600 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG200Q2YS1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q2YS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q2YS40 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG200Q2YS50 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109C4A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q2YS60A | MITSUBISHI |
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High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG200Q2YS60A | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG200Q2YS65H | TOSHIBA |
获取价格 |
IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
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| MG200Q2YS9 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q2YS91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200-RLP12 | VCC |
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Single Color LED, Red, T-1 3/4, 5.1mm, |
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