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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG200Q2YS11 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200Q2YS40 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG200Q2YS50 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109C4A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG200Q2YS60A | MITSUBISHI |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG200Q2YS60A | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Motor Control Applications |
|
| MG200Q2YS65H | TOSHIBA |
获取价格 |
IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
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| MG200Q2YS9 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
|
| MG200Q2YS91 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG200-RLP12 | VCC |
获取价格 |
Single Color LED, Red, T-1 3/4, 5.1mm, |
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| MG200-RLP15 | VCC |
获取价格 |
Single Color LED, Red, T-1 3/4, 5.1mm, |
|
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