是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 8.49 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 135 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X5 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 625 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 700 ns |
标称接通时间 (ton): | 150 ns | VCEsat-Max: | 3 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MDI145-12A3 | IXYS |
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IGBT Modules - Short Circuit SOA Capability Square RBSOA | |
MDI150-12A4 | IXYS |
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IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA | |
MDI1752 | MGCHIP |
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N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm) | |
MDI1752TH | MGCHIP |
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N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm) | |
MDI200-12A4 | IXYS |
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IGBT Modules - Short Circuit SOA Capability Square RBSOA | |
MDI300-12A4 | IXYS |
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IGBT Modules | |
MDI400-12E4 | IXYS |
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IGBT Module | |
MDI550-12A4 | IXYS |
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IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA | |
MDI5N40 | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6ohm | |
MDI5N40TH | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6(ohm) |