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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | MODULE-5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 420 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1700 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 730 ns | 标称接通时间 (ton)： | 230 ns |
| VCEsat-Max： | 2.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDI550-12A4 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
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| MDI5N40 | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6ohm |
|
| MDI5N40TH | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6(ohm) |
|
| MDI6N65B | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm) |
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| MDI6N65BTH | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45(ohm) |
|
| MDI75-12A3 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules - Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
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| MDIN03G | YAMAICHI |
获取价格 |
180° PTH Jam-Nut Socket |
|
| MDIN03J | YAMAICHI |
获取价格 |
Solder Jack, Assembly Type |
|
| MDIN03K | YAMAICHI |
获取价格 |
180° PTH Socket |
|
| MDIN03P/POT | YAMAICHI |
获取价格 |
Solder Plug, Assembly Type |
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