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MCM68B10LDS

更新时间: 2024-11-26 04:40:55
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摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 222K
描述
Standard SRAM, 128X8, 250ns, MOS, CDIP24

MCM68B10LDS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:250 nsJESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:24字数:128 words
字数代码:128工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128X8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MCM68B10LDS 数据手册

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