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MCM63Z736TQ133143R

更新时间： 2024-11-25 14:53:15

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	221K
描述
ZBT SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

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MCM63Z736TQ133143R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LQFP,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	4.2 ns
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MCM63Z736TQ133143R 数据手册

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by MCM63Z736/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

MCM63Z736

MCM63Z818

128K x 36 and 256K x 18 Bit

Pipelined ZBT RAM

Synchronous Fast Static RAM

The ZBT RAM is a 4M–bit synchronous fast static RAM designed to provide

Zero Bus Turnaround . The ZBT RAM allows 100% use of bus cycles during

back–to–back read/write and write/read cycles. The MCM63Z736 (organized

as 128K words by 36 bits) and the MCM63Z818 (organized as 256K words by

18 bits) are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate CMOS

technology. This device integrates input registers, an output register, a 2–bit

address counter, and high speed SRAM onto a single monolithic circuit for

reduced parts count in communication applications. Synchronous design

allows precise cycle control with the use of an external clock (CK). CMOS

circuitry reduces the overall power consumption of the integrated functions for

greater reliability.

TQ PACKAGE

TQFP

CASE 983A–01

Addresses (SA), data inputs (DQ), and all control signals except output enable

(G) and linear burst order (LBO) are clock (CK) controlled through positive–

edge–triggered noninverting registers.

Write cycles are internally self–timed and are initiated by the rising edge of the

clock (CK) input. This feature eliminates complex off–chip write pulse generation

and provides increased timing flexibility for incoming signals.

Forreadcycles, pipelinedSRAMoutputdataistemporarilystoredbyanedge–

triggered output register and then released to the output buffers at the next rising

edge of clock (CK).

•

3.3 V LVTTL and LVCMOS Compatible

MCM63Z736/MCM63Z818–143 = 4 ns Access/7 ns Cycle (143 MHz)

MCM63Z736/MCM63Z818–133 = 4.2 ns Access/7.5 ns Cycle (133 MHz)

MCM63Z736/MCM63Z818–100 = 5 ns Access/10 ns Cycle (100 MHz)

Selectable Burst Sequencing Order (Linear/Interleaved)

Internally Self–Timed Write Cycle

Two–Cycle Deselect

Byte Write Control

ADV Controlled Burst

100–Pin TQFP Package

•

ZBT and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc., and the architecture is supported by

Micron Technology, Inc. and Motorola, Inc.

REV 4

2/3/99

Motorola, Inc. 1999

MOTOROLA FAST SRAM

MCM63Z736 MCM63Z818

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM63Z736TQ133R	MOTOROLA	获取价格	128K x 36 and 256K x 18 Bit Pipelined ZBT RAM Synchronous Fast Static RAM
MCM63Z736TQ143	MOTOROLA	获取价格	128KX36 ZBT SRAM, 4ns, PQFP100, TQFP-100
MCM63Z737	MOTOROLA	获取价格	128K x 36 and 256K x 18 Bit Flow-Through ZBT RAM Synchronous Fast Static RAM
MCM63Z737	FREESCALE	获取价格	128K x 36 and 256K x 18 Bit Flow-Through ZBT RAM Synchronous Fast Static RAM
MCM63Z737TQ10	NXP	获取价格	IC,SYNC SRAM,128KX36,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC
MCM63Z737TQ10R	NXP	获取价格	128KX36 ZBT SRAM, 10ns, PQFP100, TQFP-100
MCM63Z737TQ11	FREESCALE	获取价格	128K x 36 and 256K x 18 Bit Flow-Through ZBT RAM Synchronous Fast Static RAM
MCM63Z737TQ11	NXP	获取价格	IC,SYNC SRAM,128KX36,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC
MCM63Z737TQ11	MOTOROLA	获取价格	128K x 36 and 256K x 18 Bit Flow-Through ZBT RAM Synchronous Fast Static RAM
MCM63Z737TQ11R	MOTOROLA	获取价格	128K x 36 and 256K x 18 Bit Flow-Through ZBT RAM Synchronous Fast Static RAM

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