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MCM54400ATV80R2

更新时间: 2024-11-11 14:53:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 639K
描述
1MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP-26/20

MCM54400ATV80R2 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:LSOP,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.89
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
长度:17.15 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.27 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

MCM54400ATV80R2 数据手册

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