Datasheet > MC74VHC1G125P5T5G

MC74VHC1G125P5T5G

更新时间： 2024-09-29 11:10:47

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		驱动光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	478K
描述
单非逆变缓冲器，3 态

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MC74VHC1G125P5T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SOT-953, 5 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.61
控制类型：	ENABLE LOW	系列：	AHC/VHC
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	长度：	1 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	BUS DRIVER
最大I（ol）：	0.008 A	位数：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	输出特性：	3-STATE
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSOF	封装等效代码：	FL5/6,.03,14
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法：	TR	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大电源电流（ICC）：	0.04 mA	Prop。Delay @ Nom-Sup：	10.5 ns
传播延迟（tpd）：	16 ns	座面最大高度：	0.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.35 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	0.8 mm	Base Number Matches：	1

MC74VHC1G125P5T5G 数据手册

浏览型号MC74VHC1G125P5T5G的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MC74VHC1G125P5T5G的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MC74VHC1G125P5T5G的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MC74VHC1G125P5T5G的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MC74VHC1G125P5T5G的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

www.onsemi.com

MARKING

DIAGRAMS

Noninverting 3-State Buffer

MC74VHC1G125,

MC74VHC1GT125

The MC74VHC1G125 / MC74VHC1GT125 is a single

non−inverting 3−state buffer in tiny footprint packages. The

MC74VHC1G125 has CMOS−level input thresholds while the

MC74VHC1GT125 has TTL−level input thresholds.

The internal circuit is composed of three stages, including a buffered

3−state output which provides high noise immunity and stable output.

The input structures provide protection when voltages up to 5.5 V

are applied, regardless of the supply voltage. This allows the device to

be used to interface 5 V circuits to 3 V circuits. Some output structures

SC−88A

DF SUFFIX

CASE 419A

XX MG

SC−74A

DBV SUFFIX

CASE 318BQ

XXX MG

SOT−953

P5 SUFFIX

CASE 527AE

X M

also provide protection when V = 0 V and when the output voltage

UDFN6

1.45 x 1.0

CASE 517AQ

exceeds V . These input and output structures help prevent device

X M

destruction caused by supply voltage − input/output voltage mismatch,

battery backup, hot insertion, etc.

UDFN6

1.2 x 1.0

CASE 517AA

Features

• Designed for 2.0 V to 5.5 V V Operation

• 3.5 ns t at 5 V (typ)

• Inputs/Outputs Over−Voltage Tolerant up to 5.5 V

UDFN6

1.0 x 1.0

CASE 517BX

• I

Supports Partial Power Down Protection

• Source/Sink 8 mA at 3.0 V

OFF

• Available in SC−88A, SC−74A, SOT−953 and UDFN6 Packages

• Chip Complexity < 100 FETs

= Specific Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

• −Q Suffix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q100 Qualified and

PPAP Capable

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or position may

vary depending upon manufacturing location.

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering, marking and shipping information in the

package dimensions section on page 8 of this data sheet.

Figure 1. Logic Symbol

Publication Order Number:

April, 2023 − Rev. 22

MC74VHC1G125/D

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与MC74VHC1G125P5T5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MC74VHC1G125P5T5G-L22088	ONSEMI	获取价格	Single Non-Inverting Buffer, 3-State
MC74VHC1G126	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3−State Buffer
MC74VHC1G126_07	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3−State Buffer
MC74VHC1G126_11	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3-State Buffer
MC74VHC1G126_18	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3-State Buffer
MC74VHC1G126DBVT1G	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3-State Buffer
MC74VHC1G126DFT1	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3−State Buffer
MC74VHC1G126DFT2	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3−State Buffer
MC74VHC1G126DFT4	ONSEMI	获取价格	AHC/VHC SERIES, 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDSO5, SC-70, SC-88A, SOT-353, 5 PIN
MC74VHC1G126DTT1	ONSEMI	获取价格	Noninverting 3−State Buffer

与MC74VHC1G125P5T5G相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

18
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MC74VHC1G125P5T5G

MC74VHC1G125P5T5G 技术参数

MC74VHC1G125P5T5G 数据手册

与MC74VHC1G125P5T5G相关器件

与MC74VHC1G125P5T5G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MC74VHC1G125P5T5G

MC74VHC1G125P5T5G 技术参数

MC74VHC1G125P5T5G 数据手册

与MC74VHC1G125P5T5G相关器件

与MC74VHC1G125P5T5G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？