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MC33169DTB-4R2

更新时间： 2024-09-29 20:02:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 电信光电二极管电信集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 220K
描述
SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO14, PLASTIC, TSSOP-14

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MC33169DTB-4R2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：TSSOP,Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.67
JESD-30 代码：R-PDSO-G14长度：5 mm
功能数量：1端子数量：14
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm标称供电电压：4.8 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：TELECOM CIRCUIT
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

MC33169DTB-4R2 数据手册

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GaAs POWER AMPLIFIER  
SUPPORT IC  
The MC33169 is a support IC for GaAs Power Amplifier Enhanced FETs  
used in hand–held telephones such as GSM and PCS. This device provides  
negative voltages for full depletion of Enhanced MESFETs as well as a  
priority management system of drain switching, ensuring that the negative  
voltage is always present before turning “on” the Power Amplifier. Additional  
features include an idle mode input and a direct drive of the N–Channel drain  
switch transistor. This product is available in a 4.0 V version intended for  
control of the RF Power Amplifier in GSM, DCS1800 and PCS applications.  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
• Negative Regulated Output for Full Depletion of GaAs MESFETs  
• Drain Switch Priority Management Circuit  
• CMOS Compatible Inputs  
• Idle Mode Input (Standby Mode) for Very Low Current Consumption  
• Output Signal Directly Drives N–Channel FET  
• Low Startup and Operating Current  
14  
1
DTB SUFFIX  
PLASTIC PACKAGE  
CASE 948G  
(TSSOP–14)  
PIN CONNECTIONS  
Simplified Block Diagram  
V
1
2
3
4
5
6
7
14  
C2 Input  
C1/C2  
CC  
C3  
+
13 Idle Mode Input  
V
Double  
BB  
+
12  
V
Battery  
(2.7 to 7.0 V)  
+
–
–
+
V
CC  
14  
C1 Input  
V
V
Double  
Triple  
12  
11  
BB  
C1  
C2  
1
2
V
Output  
BB  
O
8
MMSF4N01HD  
V
BB  
Generator  
(Voltage Tripler)  
V
Triple  
3
V
V
Charge Pump  
Capacitor+  
BB 11  
Gate Drive Output  
O
10 Sense Input  
MC33169  
+
–
C4  
T
Power  
x
Gnd  
9
8
Control Input  
T
Power  
Control  
x
Priority  
Charge Pump  
Capacitor–  
O
Gate Drive Output  
9
Management  
Input  
RF  
In  
RF  
Out  
(Top View)  
13  
Idle  
Mode Input  
Power Amplifier  
Sense  
10  
Sense Input  
6
Gnd  
Negative  
Generator  
Charge  
Pump  
ORDERING INFORMATION  
Operating  
7
5
4
–
+
–
+
C
f
+
Temperature Range  
Package  
Device  
V
O
C
C
i
p
Output  
R
f
(– 4.0 V)  
MC33169DTB–4.0 T = –40° to +85°C TSSOP–14  
A
This device contains 148 active transistors.  
Motorola, Inc. 1998  
Rev 2  
1234567...12

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