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Datasheet > 逻辑 > 触发器/锁存器> MC14508BDW
MC14508BDW PDF预览

MC14508BDW

更新时间： 2024-11-28 22:36:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 触发器锁存器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 206K
描述
Dual 4-Bit Latch

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MC14508BDW 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP24,.4
针数：24Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.88
Is Samacsys：N系列：4000/14000/40000
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e0
长度：15.395 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：D LATCH最大I（ol）：0.00064 A
位数：4功能数量：2
端子数量：24最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP24,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：220 ns传播延迟（tpd）：440 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
子类别：FF/Latches最大供电电压 (Vsup)：18 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发器类型：HIGH LEVEL宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

MC14508BDW 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The MC14508B dual 4–bit latch is constructed with MOS P–channel and  
N–channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. The  
part consists of two identical, independent 4–bit latches with separate Strobe  
(ST) and Master Reset (MR) controls. Separate Disable inputs force the  
outputs to a high impedance state and allow the devices to be used in time  
sharing bus line applications.  
These complementary MOS latches find primary use in buffer storage,  
holding register, or general digital logic functions where low power  
dissipation and/or high noise immunity is desired.  
L SUFFIX  
CERAMIC  
CASE 623  
P SUFFIX  
PLASTIC  
CASE 709  
•
•
•
3–State Output  
DW SUFFIX  
SOIC  
CASE 751E  
Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc  
Capable–of Driving Two Low–power TTL Loads or One Low–power  
Schottky TTL Load over the Rated Temperature Range  
MAXIMUM RATINGS* (Voltages Referenced to V  
)
SS  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Parameter  
DC Supply Voltage  
Value  
Unit  
V
MC14XXXBCP  
MC14XXXBCL  
MC14XXXBDW  
Plastic  
Ceramic  
SOIC  
V
DD  
– 0.5 to + 18.0  
V , V  
Input or Output Voltage (DC or Transient)  
– 0.5 to V  
DD  
+ 0.5  
V
in out  
I , I  
T
A
= – 55° to 125°C for all packages.  
Input or Output Current (DC or Transient),  
per Pin  
± 10  
mA  
in out  
P
Power Dissipation, per Package†  
Storage Temperature  
500  
mW  
C
D
BLOCK DIAGRAM  
T
stg  
– 65 to + 150  
260  
T
Lead Temperature (8–Second Soldering)  
C
L
1
2
3
4
6
8
MR  
ST  
DIS  
D0  
D1  
Q0  
Q1  
Q2  
Q3  
5
* Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.  
†Temperature Derating:  
7
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/ C From 65 C To 125 C  
Ceramic “L” Packages: – 12 mW/ C From 100 C To 125 C  
9
D2  
D3  
TRUTH TABLE  
11  
10  
MR  
0
ST Disable D3  
D2  
0
D1  
0
D0  
0
Q3  
0
Q2  
0
Q1  
0
Q0  
0
1
1
1
1
1
0
X
X
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
X
X
X
0
0
0
1
0
0
0
1
13  
14  
15  
16  
18  
20  
22  
MR  
ST  
DIS  
D0  
D1  
D2  
D3  
Q0  
Q1  
Q2  
Q3  
17  
19  
21  
23  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Latched  
1
0
0
0
0
X
High Impedance  
V
V
= PIN 24  
= PIN 12  
DD  
SS  
X = Don’t Care  
CIRCUIT DIAGRAM  
V
DD  
DIS  
MR  
ST  
Q
n
D
n
(TO OTHER THREE LATCHES)  
REV 3  
1/94  
Motorola, Inc. 1995  
1234567

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