5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOIC-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3.0V TO -5.5V |
| 系列： | 10E | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 4.9 mm |
| 逻辑集成电路类型： | XOR/XNOR GATE | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 功能数量： | 1 | 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 传播延迟（tpd）： | 0.3 ns | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ECL |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC10EP08DR2G | ONSEMI |
获取价格 |
3.3 V / 5.0 V Differential 2-Input XOR/XNOR Gate, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL |
|
| MC10EP08DR2G | ROCHESTER |
获取价格 |
10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
|
| MC10EP08DT | ONSEMI |
获取价格 |
Differential 2-Input XOR/XNOR |
|
| MC10EP08DTG | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5V ECL 2-Input Differential XOR/XNOR |
|
| MC10EP08DTG | ROCHESTER |
获取价格 |
10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8 |
|
| MC10EP08DTR2 | ONSEMI |
获取价格 |
Differential 2-Input XOR/XNOR |
|
| MC10EP08DTR2 | ROCHESTER |
获取价格 |
10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8 |
|
| MC10EP08DTR2G | ROCHESTER |
获取价格 |
10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8 |
|
| MC10EP101 | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 4-Input OR/NOR |
|
| MC10EP101_06 | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5V ECL Quad 4−Input OR/NOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
