5秒后页面跳转
MC10EP08DR2G PDF预览

MC10EP08DR2G

更新时间: 2024-11-06 13:11:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 石英晶振
页数 文件大小 规格书
8页 79K
描述
3.3 V / 5.0 V Differential 2-Input XOR/XNOR Gate, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

MC10EP08DR2G 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.33其他特性:NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3.0V TO -5.5V
系列:10EJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.9 mm
逻辑集成电路类型:XOR/XNOR GATE湿度敏感等级:1
功能数量:1输入次数:2
端子数量:8最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TAPE AND REEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:-5.2 V最大电源电流(ICC):38 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup:0.3 ns传播延迟(tpd):0.3 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:NO
座面最大高度:1.75 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:ECL温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

MC10EP08DR2G 数据手册

 浏览型号MC10EP08DR2G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MC10EP08DR2G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MC10EP08DR2G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MC10EP08DR2G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MC10EP08DR2G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MC10EP08DR2G的Datasheet PDF文件第7页 
MC10EP08, MC100EP08  
3.3V / 5VĄECL 2-Input  
Differential XOR/XNOR  
The MC10/100EP08 is a differential XOR/XNOR gate. The EP08 is  
ideal for applications requiring the fastest AC performance available.  
The 100 Series contains temperature compensation.  
http://onsemi.com  
MARKING DIAGRAMS*  
250 ps Typical Propagation Delay  
Maximum Frequency > 3 GHz Typical  
PECL Mode Operating Range: V = 3.0 V to 5.5 V  
CC  
8
8
with V = 0 V  
EE  
8
NECL Mode Operating Range: V = 0 V  
HEP08  
ALYW  
KEP08  
ALYW  
CC  
1
with V = –3.0 V to –5.5 V  
EE  
SO–8  
Open Input Default State  
Safety Clamp on Inputs  
D SUFFIX  
CASE 751  
1
1
Q Output Will Default LOW with Inputs Open or at V  
EE  
8
1
8
1
8
1
HP08  
ALYW  
KP08  
ALYW  
TSSOP–8  
DT SUFFIX  
CASE 948R  
L = Wafer Lot  
Y = Year  
H = MC10  
K = MC100  
W = Work Week  
A = Assembly Location  
*For additional information, see Application Note  
AND8002/D  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MC10EP08D  
SO–8  
98 Units/Rail  
MC10EP08DR2  
MC100EP08D  
MC100EP08DR2  
MC10EP08DT  
SO–8  
SO–8  
2500 Tape & Reel  
98 Units/Rail  
SO–8  
2500 Tape & Reel  
100 Units/Rail  
TSSOP–8  
MC10EP08DTR2 TSSOP–8 2500 Tape & Reel  
MC100EP08DT TSSOP–8 100 Units/Rail  
MC100EP08DTR2 TSSOP–8 2500 Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
April, 2001 – Rev. 3  
MC10EP08/D  

MC10EP08DR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC10EP08DG ONSEMI

完全替代

3.3 V / 5.0 V Differential 2-Input XOR/XNOR Gate, SOIC-8 Narrow Body, 98-TUBE
MC10EP08D ONSEMI

完全替代

Differential 2-Input XOR/XNOR
MC10EP08DR2 ONSEMI

类似代替

Differential 2-Input XOR/XNOR

与MC10EP08DR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC10EP08DT ONSEMI

获取价格

Differential 2-Input XOR/XNOR
MC10EP08DTG ONSEMI

获取价格

3.3V / 5V ECL 2-Input Differential XOR/XNOR
MC10EP08DTG ROCHESTER

获取价格

10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8
MC10EP08DTR2 ONSEMI

获取价格

Differential 2-Input XOR/XNOR
MC10EP08DTR2 ROCHESTER

获取价格

10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
MC10EP08DTR2G ROCHESTER

获取价格

10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8
MC10EP101 ONSEMI

获取价格

Quad 4-Input OR/NOR
MC10EP101_06 ONSEMI

获取价格

3.3V / 5V ECL Quad 4−Input OR/NOR
MC10EP101FA ONSEMI

获取价格

Quad 4-Input OR/NOR
MC10EP101FAG ONSEMI

获取价格

3.3V / 5V ECL Quad 4−Input OR/NOR