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MC100EP08DR2G

更新时间： 2024-09-29 21:10:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅光电二极管逻辑集成电路石英晶振触发器
页数 文件大小 规格书
10页 170K
描述
Differential 2-Input XOR/XNOR Gate, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL

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MC100EP08DR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.6
其他特性：NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3.0V TO -5.5V系列：100E
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm逻辑集成电路类型：XOR/XNOR GATE
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：-4.5 V
最大电源电流（ICC）：40 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.32 ns
传播延迟（tpd）：0.3 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.75 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：ECL
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

MC100EP08DR2G 数据手册

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MC10EP08, MC100EP08  
3.3 V / 5 VꢀECL 2-Input  
Differential XOR/XNOR  
Description  
The MC10/100EP08 is a differential XOR/XNOR gate. The EP08 is  
ideal for applications requiring the fastest AC performance available.  
The 100 Series contains temperature compensation.  
www.onsemi.com  
Features  
8
8
• 250 ps Typical Propagation Delay  
• Maximum Frequency = > 3 GHz Typical  
• PECL Mode Operating Range:  
1
1
SOIC−8 NB  
D SUFFIX  
CASE 751−07  
TSSOP−8  
DT SUFFIX  
CASE 948R−02  
V
CC  
= 3.0 V to 5.5 V with V = 0 V  
EE  
• NECL Mode Operating Range:  
= 0 V with V = −3.0 V to −5.5 V  
V
CC  
EE  
• Open Input Default State  
MARKING DIAGRAMS*  
• Safety Clamp on Inputs  
• Q Output Will Default LOW with Inputs Open or at V  
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant  
EE  
8
8
HEP08  
ALYW  
HP08  
ALYWG  
G
G
1
1
8
8
KEP01  
ALYW  
KP082  
ALYWG  
G
G
1
1
SOIC−8 NB  
TSSOP−8  
H
K
= MC10  
= MC100  
A
L
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
5J = MC10  
2Y = MC100  
Y
W
G
= Year  
= Work Week  
= Pb-Free Package  
D
= Date Code  
(Note: Microdot may be in either location)  
*For additional marking information, refer to  
Application Note AND8002/D.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 8 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
August, 2016 − Rev. 7  
MC10EP08/D  
1234567...10

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MC100EP08DR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC100EP08D ONSEMI

完全替代

 Differential 2-Input XOR/XNOR
MC100EP08DG ONSEMI

类似代替

 3.3V / 5V ECL 2-Input Differential XOR/XNOR
MC100EP08DR2 ONSEMI

类似代替

 Differential 2-Input XOR/XNOR

与MC100EP08DR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC100EP08DT ONSEMI

获取价格

 		Differential 2-Input XOR/XNOR
MC100EP08DT ROCHESTER

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 		100E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
MC100EP08DTG ONSEMI

获取价格

 		Differential 2-Input XOR/XNOR Gate, TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 mm, 100-TUBE
MC100EP08DTG ROCHESTER

获取价格

 		100E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8
MC100EP08DTR2 ONSEMI

获取价格

 		Differential 2-Input XOR/XNOR
MC100EP08DTR2G ROCHESTER

获取价格

 		100E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, TSSOP-8
MC100EP08DTR2G ONSEMI

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 		差分 2 输入 XOR/XNOR 门极
MC100EP08MNR4 ONSEMI

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 		100E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, DFN-8
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 		3.3V / 5VECL Quad 2-Input Differential AND/NAND
MC100EP101 ONSEMI

获取价格

 		3.3V / 5V ECL Quad 4−Input OR/NOR

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