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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | , | 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.59 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 9.5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N200 |
| 内存密度： | 301989888 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX72 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC-454BA80F-A10 | RENESAS |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX80, 8.5ns, MOS, DIMM-200 |
|
| MC-454BA80F-A10 | NEC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX80, 8.5ns, CMOS, DIMM-200 |
|
| MC-454BA80F-A12 | RENESAS |
获取价格 |
4MX80 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 9.5ns, DMA200, DIMM-200 |
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| MC-454BC72F-A10 | RENESAS |
获取价格 |
4MX72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, DMA200, DIMM-200 |
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| MC-454BC72F-A12 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SDRAM,4MX72,CMOS,DIMM,200PIN,PLASTIC |
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| MC-454CA726F-A10 | NEC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| MC-454CA726LFA-A10 | NEC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX72, 6ns, MOS, DIMM-168 |
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| MC-454CA726LFA-A80 | NEC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX72, 6ns, MOS, DIMM-168 |
|
| MC-454CB641LS-A10 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SDRAM,4MX64,CMOS,DIMM,144PIN,PLASTIC |
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| MC-454CB645 | NEC |
获取价格 |
4M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
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