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MC-454CB64S-A10

更新时间: 2024-11-25 21:00:51
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 8ns, MOS,

MC-454CB64S-A10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N144
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MC-454CB64S-A10 数据手册

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